FDS6892AZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDS6892AZ 共 4 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892AZ ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+453：￥6.3891 +2263：￥6.263412	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18mOhm 7.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1286pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥5.159447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18mOhm 7.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1286pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6892AZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥12.621374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18mOhm 7.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1286pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	FDS6892AZ Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+314：￥14.68669	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18mOhm 7.5A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1286pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDS6892AZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	Obsolete
FET 类型:	2 N-Channel (Dual)
FET 功能:	Logic Level Gate
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18mOhm 7.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1286pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C (TJ)