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搜索 FDMC8200S 共 9 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8200S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥3.572417 +10：￥3.074445 +30：￥2.825458 +100：￥2.630598 +500：￥2.45739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，8.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 700mW，1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33（3x3）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8200S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥10.69062 +100：￥10.351236 +500：￥10.011851 +2000：￥9.672467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，8.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 700mW，1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33（3x3）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMC8200S VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDMC8200S VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.135936 +1000：￥2.975098 +5000：￥2.894679 +10000：￥2.814365 +20000：￥2.707069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8200S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.100535 +6000：￥2.945521	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，8.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 700mW，1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33（3x3）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8200S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥7.321163 +6000：￥6.823804 +9000：￥6.758172	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A，8.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 20 毫欧 6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660pF 15V 功率 - 最大值： 700mW，1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33（3x3）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMC8200S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥26.925598 +10：￥17.149771 +100：￥11.507634 +500：￥9.087696 +1000：￥8.309302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33 (3x3)
	FDMC8200S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥26.925598 +10：￥17.149771 +100：￥11.507634 +500：￥9.087696 +1000：￥8.309302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： 8-Power33 (3x3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8200S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP 下载数据手册未分类	+1：￥18.176661 +10：￥16.18859 +100：￥12.695262 +500：￥10.494182 +1000：￥8.392506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMC8200S 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 18A/13A 8-Pin Power 33 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥5.776447	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMC8200S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A，8.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	20 毫欧 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660pF 15V
功率 - 最大值:	700mW，1W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerWDFN
供应商器件封装:	8-Power33（3x3）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）