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FDB13AN06A0_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDB13AN06A0
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¥16.445541

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¥14.019687

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¥10.938197

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¥10.227925

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.9A(Ta),62A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.5 毫欧 62A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 115W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDB13AN06A0
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FDB13AN06A0 VBSEMI/微碧半导体

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDB13AN06A0
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FDB13AN06A0 VBSEMI/微碧半导体

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FDB13AN06A0_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.9A(Ta),62A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.5 毫欧 62A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 115W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

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FDB13AN06A0_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.9A(Ta),62A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.5 毫欧 62A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 115W(Tc)

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: D²PAK(TO-263)

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: -55°C # 175°C(TJ)

FDB13AN06A0_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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¥29.722714

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

Mouser
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FDB13AN06A0_晶体管
FDB13AN06A0
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MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

晶体管

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¥34.786361

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列: FDB13AN06A0

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 62 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 29 nC

Pd-功率耗散: 115 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 26 ns

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 96 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 44 ns

典型接通延迟时间: 9 ns

宽度: 9.65 mm

零件号别名: FDB13AN06A0_NL

单位重量: 4 g

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
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FDB13AN06A0_未分类
FDB13AN06A0
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

未分类

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+2400:

¥12.073423

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货期:7~10 天

暂无参数
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FDB13AN06A0_未分类
FDB13AN06A0
授权代理品牌
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货期:7~10 天

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FDB13AN06A0参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10.9A(Ta),62A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 13.5 毫欧 62A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1350 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 115W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)