品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A，18A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 13V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

温度： -

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Obsolete

FET 类型： 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 功能： Logic Level Gate

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A, 18A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6mOhm 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 13V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

温度： -

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 16A，18A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 6.6 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 13V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

温度： -

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-56-8

系列：

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 25 V

Id-连续漏极电流： 16 A, 18 A

Rds On-漏源导通电阻： 6.6 mOhms, 3.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V

Qg-栅极电荷： 19 nC, 31 nC

Pd-功率耗散： 2.3 W, 1 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 1.4 ns, 2.2 ns

正向跨导 - 最小值： 63 S, 84 S

高度： 1.1 mm

长度： 6 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 1.7 nS, 3 nS

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 19 nS, 24 nS

典型接通延迟时间： 7.7 nS, 9.5 nS

宽度： 5 mm

单位重量： 90 mg

温度： - 55 C~+ 150 C