品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 47 毫欧 4.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 47 毫欧 4.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 47 毫欧 4.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 47 毫欧 4.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 47 毫欧 4.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2050 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 4.9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 47mOhm @ 4.9A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOIC

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 150 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 38 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2870 pF @ 25 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： FDS2572

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 150 V

Id-连续漏极电流： 4.9 A

Rds On-漏源导通电阻： 47 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 38 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标名： UltraFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 22 ns

高度： 1.75 mm

长度： 4.9 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 4 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 44 ns

典型接通延迟时间： 14 ns

宽度： 3.9 mm

零件号别名： FDS2572_NL

单位重量： 130 mg

温度： - 55 C~+ 150 C