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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FW276-TL-2H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.4712	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 450V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.1 欧姆 350mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 20V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FW276-TL-2H Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.93774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FW276-TL-2H Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.93774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列：零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate, 10V Drive 漏源电压（Vdss）： 450V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA (Tc) 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.1Ohm 350mA, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 20V 功率 - 最大值： 1.6W (Tc) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： 150°C (TJ)
	FW276-TL-2H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.93774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 450V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.1 欧姆 350mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 20V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： 150°C（TJ）
	FW276-TL-2H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.93774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	FW276-TL-2H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.93774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FW276-TL-2H ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 450V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12.1 欧姆 350mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.7nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 55pF 20V 功率 - 最大值： 1.6W 工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： 150°C（TJ）

FW276-TL-2H参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	450V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12.1 欧姆 350mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.7nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	55pF 20V
功率 - 最大值:	1.6W
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	150°C（TJ）