品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 12.5A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.75 V 12 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 665pF 1V，100kHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 12.5A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.75 V 12 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 665pF 1V，100kHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V

电流 - 平均整流 (Io)： 12.5A（DC）

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.75 V 12 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 200 µA 650 V

不同 Vr、F 时电容： 665pF 1V，100kHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN（8x8）

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -55°C # 175°C

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN (8x8)

包装： Digi-Reel® Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -55°C # 175°C

封装/外壳： 4-PowerTSFN

供应商器件封装： 4-PQFN (8x8)