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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.255753 +10：￥37.338482 +50：￥34.333482 +100：￥31.82021	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2480 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.260034	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2480 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.892283 +50：￥16.431431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2480 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.231913 +50：￥40.195634	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 99 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 3mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2480 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 227W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP099N65S3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥64.673284 +10：￥51.738628 +50：￥43.447181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP099N65S3 ON Semiconductor 授权代理品牌	N-Channel SuperFET III MOSFET 下载数据手册未分类	+800：￥51.649239 +1000：￥51.370639 +2000：￥51.107518 +2500：￥50.828918 +3000：￥50.550319	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP099N65S3 onsemi(安森美) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 30A, TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥37.545196 +10：￥29.653202 +100：￥28.449995 +500：￥27.233851 +1000：￥26.483466	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FCP099N65S3 onsemi(安森美) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 650V, 30A, TO-220-3 下载数据手册未分类	+1：￥39.753649 +10：￥31.40379 +100：￥29.848905 +500：￥28.294018 +1000：￥27.363537	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCP099N65S3参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	99 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	61 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2480 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	227W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）