品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，120mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA，120mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Configuration： N and P-Channel

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 700mW

Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 220mA, 120mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9.5pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4Ohm @ 400mA, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.4nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SuperSOT™-6

Part Status： Active