品牌： onsemi

包装： Tray

封装/外壳： F2

系列： FPF2G120BF07ASP

产品种类： IGBT 模块

产品： IGBT Silicon Modules

配置： Triple

集电极—发射极最大电压 VCEO： 650 V

集电极—射极饱和电压： 1.55 V

在25 C的连续集电极电流： 40 A

栅极—射极漏泄电流： 2 uA

Pd-功率耗散： 156 W

商标： onsemi / Fairchild

栅极/发射极最大电压： 20 V

安装风格： Chassis Mount

产品类型： IGBT Modules

技术： Si

单位重量： 45 g

温度： - 40 C~+ 150 C