FCH165N65S3R0-F155厂家价格_数据手册

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	FCH165N65S3R0-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	SF3 650V 165MOHM E TO247L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥90.276285 +5：￥61.050187 +15：￥44.813439 +30：￥32.473496 +60：￥30.849797	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 154W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FCH165N65S3R0-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	SF3 650V 165MOHM E TO247L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.481774 +10：￥28.509247 +30：￥27.055921	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 154W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FCH165N65S3R0-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	SF3 650V 165MOHM E TO247L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥34.534269 +90：￥33.958698 +150：￥33.383127 +300：￥32.807556	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 154W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FCH165N65S3R0-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	SF3 650V 165MOHM E TO247L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥31.67262 +450：￥30.880805 +900：￥30.352928 +1350：￥30.088989	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 154W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	FCH165N65S3R0-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.744304 +10：￥29.991341 +450：￥21.568592 +1350：￥18.468065 +2250：￥17.389663	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 154W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	FCH165N65S3R0-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	SF3 650V 165MOHM E TO247L 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥87.440038 +10：￥73.366765 +450：￥52.762492 +1350：￥45.177782 +2250：￥42.539722	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： SuperFET® III 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 19A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 165 毫欧 9.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1.9mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 39 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 154W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	FCH165N65S3R0-F155 ON(安森美) 授权代理品牌	SF3 650V 165MOHM E TO247L 下载数据手册晶体管	+1：￥99.9571 +10：￥83.950899 +30：￥60.43158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-247-3LD 系列：产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 650 V Id-连续漏极电流： 19 A Rds On-漏源导通电阻： 165 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2.5 V Qg-栅极电荷： 39 nC Pd-功率耗散： 154 W 通道模式： Enhancement 商标： onsemi 配置： Single 下降时间： 5 ns 正向跨导 - 最小值： 12 S 产品类型： MOSFET 上升时间： 15 ns 典型关闭延迟时间： 44 ns 典型接通延迟时间： 17 ns 单位重量： 6 g 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

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	FCH165N65S3R0-F155 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥66.217297 +500：￥65.562145 +1000：￥64.891391 +2000：￥64.251839 +2500：￥63.612284	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FCH165N65S3R0-F155参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	SuperFET® III
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	165 毫欧 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	39 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	154W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）