品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6mOhm 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4230pF 20V

功率 - 最大值： 50W

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 12-PowerWDFN

供应商器件封装： 12-Power3.3x5

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6mOhm 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4230pF 20V

功率 - 最大值： 50W

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 12-PowerWDFN

供应商器件封装： 12-Power3.3x5

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Standard

漏源电压（Vdss）： 40V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 24A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6mOhm 23A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4230pF 20V

功率 - 最大值： 50W

工作温度： -55°C # 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 12-PowerWDFN

供应商器件封装： 12-Power3.3x5

温度： -55°C # 175°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： PQFN-12

系列： FDMD8240LET40

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Id-连续漏极电流： 103 A

Rds On-漏源导通电阻： 4.3 mOhms, 4.3 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 40 nC

Pd-功率耗散： 50 W

通道模式： Enhancement

商标名： Power Clip

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 9 ns, 9 ns

正向跨导 - 最小值： 107 S, 107 S

高度： 0.8 mm

长度： 5 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 8 ns, 8 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 36 ns, 36 ns

典型接通延迟时间： 12 ns, 12 ns

宽度： 3.3 mm

单位重量： 82.320 mg

温度： - 55 C~+ 175 C