品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 66A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5330pF 40V

功率 - 最大值： 39W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power 5x6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 66A（Tc）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.7 毫欧 16A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 73nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5330pF 40V

功率 - 最大值： 39W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power 5x6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-5x6-8

系列： FDMD8680

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 80 V

Id-连续漏极电流： 16 A

Rds On-漏源导通电阻： 4.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V

Qg-栅极电荷： 73 nC

Pd-功率耗散： 2.3 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

高度： 0.8 mm

长度： 5 mm

产品类型： MOSFET

宽度： 6 mm

单位重量： 98 mg

温度： - 55 C~+ 150 C