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自营 现货库存
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FDMS3604AS_射频晶体管
FDMS3604AS
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

射频晶体管

+1:

¥9.463016

+200:

¥3.671563

+500:

¥3.540435

+1000:

¥3.474872

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,23A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1695pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS3604AS_未分类
FDMS3604AS
授权代理品牌

FDMS3604AS VBSEMI/微碧半导体

未分类

+3:

¥4.238297

+20:

¥4.132374

+200:

¥3.885105

+5000:

¥3.81449

库存: 1000 +

国内:1~2 天

暂无参数
自营 国内现货
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FDMS3604AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,23A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1695pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMS3604AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

射频晶体管

+3000:

¥17.402199

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,23A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 13A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1695pF 15V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMS3604AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

射频晶体管

+1:

¥53.851197

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS3604AS_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

射频晶体管

+1:

¥53.851197

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: Power56

FDMS3604AS_未分类
FDMS3604AS
授权代理品牌

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

未分类

+229:

¥20.041212

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-PowerTDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max: 1W

FET Type: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Drain to Source Voltage (Vdss): 30V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)

Part Status: Obsolete

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMS3604AS_未分类
FDMS3604AS
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

標準包裝數量: 3000

FDMS3604AS参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A,23A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8 毫欧 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.7V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1695pF 15V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: Power56
温度: -55°C # 150°C(TJ)