品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，18A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，18A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A，18A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 13A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.7V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 29nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1765pF 15V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-56-8

系列： FDMS3668S

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 13 A, 18 A

Rds On-漏源导通电阻： 8 mOhms, 5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.1 V

Qg-栅极电荷： 29 nC, 38 nC

Pd-功率耗散： 2.2 W, 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标名： Power Stage PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

高度： 1.1 mm

长度： 6 mm

产品类型： MOSFET

晶体管类型： 2 N-Channel

宽度： 5 mm

单位重量： 171 mg

温度： - 55 C~+ 150 C