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FDG6332C-F085_射频晶体管
FDG6332C-F085
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

+1:

¥83.954761

+10:

¥55.96976

+30:

¥46.641507

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDG6332C-F085_未分类
FDG6332C-F085
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

未分类

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¥38.868299

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¥34.34441

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¥31.590738

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDG6332C-F085_射频晶体管
FDG6332C-F085
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

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¥14.123025

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

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零件状态: 停产

FET 类型: N 和 P 沟道

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SC-88 (SC-70-6)

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授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SC-88 (SC-70-6)

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库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max: 300mW

FET Type: N and P-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss): 20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

Part Status: Obsolete

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库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max: 300mW

FET Type: N and P-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss): 20V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

Part Status: Obsolete

FDG6332C-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA,600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 300 毫欧 700mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 113pF 10V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)
温度: -55°C # 150°C(TJ)