品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 5 N 沟道（太阳能逆变器）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 27A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 250W

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 底座安装

封装/外壳： F1 模块

供应商器件封装： F1

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 托盘

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 5 N 沟道（太阳能逆变器）

FET 功能： 标准

漏源电压（Vdss）： 650V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 27A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.8V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

功率 - 最大值： 250W

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 底座安装

封装/外壳： F1 模块

供应商器件封装： F1

温度： -40°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： F1 Module

Mounting Type： Chassis Mount

Configuration： 5 N-Channel (Solar Inverter)

Operating Temperature： -40°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max： 250W

Drain to Source Voltage (Vdss)： 650V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 36A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： -

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 90mOhm @ 27A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： -

FET Feature： -

Vgs(th) (Max) @ Id： 3.8V @ 250µA

Supplier Device Package： F1

品牌： onsemi

包装： Tray

封装/外壳： *

系列： FPF1C2P5BF07A

产品种类： 电源管理模块

商标： onsemi / Fairchild

产品类型： Power Management Modules

单位重量： 23 g

温度： ~