品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 10V

功率 - 最大值： 2.2W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOP

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37 毫欧 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 10V

功率 - 最大值： 2.2W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOP

温度： 150°C（TJ）

品牌： Sanyo

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： 2 N-Channel (Dual)

FET 功能： Logic Level Gate, 4V Drive

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A (Ta)

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 37mOhm 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.1nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 490pF 10V

功率 - 最大值： 2.2W (Ta)

工作温度： 150°C

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-SOIC (0.173#, 4.40mm Width)

供应商器件封装： 8-SOP

温度： 150°C

品牌： onsemi

包装： Reel

封装/外壳： SOP-8

系列： FW274

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 6 A

Rds On-漏源导通电阻： 37 mOhms

商标： onsemi

产品类型： MOSFET

单位重量： 83 mg

温度： ~