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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6306P_射频晶体管
授权代理品牌

MOS场效应管 FDG6306P SOT-363

射频晶体管

+1500:

¥2.084225

+3000:

¥1.510322

+15000:

¥1.359314

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 114pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6306P_未分类
FDG6306P
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

未分类

+1:

¥1.625641

+200:

¥0.629124

+500:

¥0.607069

+1000:

¥0.596145

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 114pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6306P_未分类
FDG6306P
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

未分类

+3000:

¥10.669654

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 114pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDG6306P_未分类
FDG6306P
授权代理品牌

FDG6306P VBSEMI/台湾微碧半导体

未分类

+10:

¥0.836131

+1000:

¥0.793233

+15000:

¥0.771732

+21000:

¥0.750336

+30000:

¥0.721772

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDG6306P_未分类
FDG6306P
授权代理品牌

FDG6306P VBSEMI/微碧半导体

未分类

+5:

¥1.414387

+50:

¥1.164803

+150:

¥0.998336

+500:

¥0.890214

+3000:

¥0.856875

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDG6306P_射频晶体管
FDG6306P
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

射频晶体管

+1:

¥2.220672

+3000:

¥2.183281

+6000:

¥2.127367

+24000:

¥2.10873

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 114pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDG6306P_未分类
FDG6306P
授权代理品牌

FDG6306P TOOHONG/韩国太虹

未分类

+100:

¥2.085809

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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FDG6306P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 114pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6306P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 600mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 114pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDG6306P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SC-88 (SC-70-6)

FDG6306P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 420 毫欧 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 114pF 10V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)
温度: -55°C # 150°C(TJ)