FDG6306P厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDG6306P 共 15 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOS场效应管 FDG6306P SOT-363 下载数据手册射频晶体管	+1500：￥2.084225 +3000：￥1.510322 +15000：￥1.359314	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 420 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 114pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 下载数据手册未分类	+1：￥1.625641 +200：￥0.629124 +500：￥0.607069 +1000：￥0.596145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 420 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 114pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 下载数据手册未分类	+3000：￥10.669654	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 420 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 114pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDG6306P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.836131 +1000：￥0.793233 +15000：￥0.771732 +21000：￥0.750336 +30000：￥0.721772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDG6306P 授权代理品牌	FDG6306P VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.414387 +50：￥1.164803 +150：￥0.998336 +500：￥0.890214 +3000：￥0.856875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDG6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.220672 +3000：￥2.183281 +6000：￥2.127367 +24000：￥2.10873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 420 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 114pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6306P 授权代理品牌	FDG6306P TOOHONG/韩国太虹下载数据手册未分类	+100：￥2.085809	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 420 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 114pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 420 毫欧 600mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 114pF 10V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88 (SC-70-6)

FDG6306P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	420 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	114pF 10V
功率 - 最大值:	300mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SC-88（SC-70-6）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）