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搜索 FDC6306P 共 14 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.862945 +10：￥2.305654 +30：￥2.076181 +100：￥1.770218 +500：￥1.639091	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 441pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P+P沟道 20V 4A 下载数据手册未分类	+1：￥1.544243 +10：￥1.24512 +30：￥1.116985 +100：￥0.957026	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6306P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.836131 +1000：￥0.793233 +15000：￥0.771732 +21000：￥0.750336 +30000：￥0.721772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.94481 +9000：￥1.89619 +15000：￥1.863776 +21000：￥1.84757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 441pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6306P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.848909 +100：￥0.834972 +500：￥0.800181 +3000：￥0.786243	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6306P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.83508 +3000：￥0.800289 +9000：￥0.765499 +30000：￥0.709856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6306P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC6306P JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.459299 +3000：￥0.450872 +9000：￥0.438338 +51000：￥0.425914	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	封装/外壳： SOT23-6 FET类型： P+P-Channel 栅极电压Vgs： ±12V 漏源极电压Vds： -20V 连续漏极电流Id： -4A Rds OnMax@Id,Vgs： 75mΩ@-4.5V Pd-功率耗散Max： 1.4W

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.645446 +6000：￥1.539289 +15000：￥1.433131 +30000：￥1.358806	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 441pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.843326 +6000：￥2.659886 +15000：￥2.476445 +30000：￥2.348011	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 441pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6306P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	170 毫欧 1.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.2nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	441pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）