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搜索 FDC6306P 共 23 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.807814 +10：￥4.086654 +30：￥3.365494 +100：￥3.004914 +500：￥2.764487	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 441pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥3.92289 +10：￥3.114272 +30：￥2.764599 +100：￥2.327509 +500：￥2.130818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 441pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P+P沟道 20V 4A 下载数据手册未分类	+5：￥1.480317 +50：￥1.209539 +150：￥1.093492 +500：￥0.948705 +3000：￥0.769826	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6306P TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥0.594335 +50：￥0.517844 +150：￥0.479598 +500：￥0.450968 +3000：￥0.428022	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6306P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.836131 +1000：￥0.793233 +15000：￥0.771732 +21000：￥0.750336 +30000：￥0.721772	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.94481 +9000：￥1.89619 +15000：￥1.863776 +21000：￥1.84757	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 441pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6306P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.766232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6306P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6306P VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.83508 +3000：￥0.800289 +9000：￥0.765499 +30000：￥0.709856	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6306P JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC6306P JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.734976 +150：￥0.722821 +250：￥0.704415	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6306P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.33272 +6000：￥1.246739 +15000：￥1.160756 +30000：￥1.100558	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170 毫欧 1.9A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.2nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 441pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6306P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	170 毫欧 1.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4.2nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	441pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）