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FDMS9600S_射频晶体管
FDMS9600S
ON(安森美)
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MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56

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射频晶体管
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￥323.09299

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￥218.49454

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￥160.38429

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￥116.2205

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￥110.409475

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A，16A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1705pF 15V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (5x6)，Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDMS9600S_射频晶体管
FDMS9600S
ON(安森美)
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MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56

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￥3.966599

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￥3.879181

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A，16A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1705pF 15V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (5x6)，Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDMS9600S_未分类
FDMS9600S
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FDMS9600S VBSEMI/微碧半导体

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FDMS9600S
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MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56

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射频晶体管
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品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A，16A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1705pF 15V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (5x6)，Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDMS9600S
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MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56

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射频晶体管
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A，16A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.5 毫欧 12A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1705pF 15V

功率 - 最大值： 1W

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (5x6)，Power56

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDMS9600S_射频晶体管
FDMS9600S
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授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56

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货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (5x6), Power56

FDMS9600S_射频晶体管
FDMS9600S
ON(安森美)
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MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56

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射频晶体管
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￥34.25056

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￥30.701707

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￥24.682412

+500：

￥20.279084

+1000：

￥16.802583

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-MLP (5x6), Power56

Mouser
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FDMS9600S
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56

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+1：

￥41.205674

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￥34.25532

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￥27.304964

+250：

￥26.146573

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￥23.002365

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-56-8

系列： FDMS9600S

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V

Id-连续漏极电流： 12 A

Rds On-漏源导通电阻： 8.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 9 nC, 21 nC

Pd-功率耗散： 2.5 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench SyncFET

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 12 ns, 32 ns

高度： 0.8 mm

长度： 6 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 6 ns, 11 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 42 ns, 54 ns

典型接通延迟时间： 13 ns, 17 ns

宽度： 5 mm

单位重量： 190 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

FDMS9600S参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A，16A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 8.5 毫欧 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1705pF 15V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-MLP (5x6)，Power56
温度: -55°C # 150°C（TJ）