品牌： onsemi

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 个 P 沟道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 26 毫欧 8A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900pF 10V

功率 - 最大值： 2.5W

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOP

温度： 150°C（TJ）