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FDG6301N-F085_未分类
FDG6301N-F085
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

未分类

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 欧姆 220mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FDG6301N-F085_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 欧姆 220mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDG6301N-F085_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 欧姆 220mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.4nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDG6301N-F085_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SC-88 (SC-70-6)

FDG6301N-F085_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

射频晶体管

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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SC-88 (SC-70-6)

FDG6301N-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4 欧姆 220mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9.5pF 10V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)
温度: -55°C # 150°C(TJ)