品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 245 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 333W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 245 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 333W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 110A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 毫欧 80A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 245 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 13500 pF 20 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 333W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： D²PAK（TO-263）

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 110A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2mOhm @ 80A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 333W (Tj)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-263 (D2PAK)

Grade： Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 245 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 13500 pF @ 20 V

Qualification： AEC-Q101

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 110A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2mOhm @ 80A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 333W (Tj)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-263 (D2PAK)

Grade： Automotive

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 40 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 245 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 13500 pF @ 20 V

Qualification： AEC-Q101

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： SC-70-3

系列： FDB9403L_F085

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 40 V

Id-连续漏极电流： 110 A

Rds On-漏源导通电阻： 2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 186 nC

Pd-功率耗散： 333 W

通道模式： Enhancement

资格： AEC-Q101

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 107 ns

高度： 4.83 mm

长度： 10.67 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 63 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 142 ns

典型接通延迟时间： 16 ns

宽度： 9.65 mm

零件号别名： FDB9403L_F085

单位重量： 4 g

温度： - 55 C~+ 175 C