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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY2000PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.807971 +10：￥1.484797 +30：￥1.346368 +100：￥1.173595 +500：￥1.096609	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY2000PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDY2000PZ ON Semiconductor 授权代理品牌	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 下载数据手册射频晶体管	+1682：￥1.295837	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY2000PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDY2000PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F
	FDY2000PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-563, SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F
	FDY2000PZ ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT563F 下载数据手册未分类	+1682：￥2.239202	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SOT-563, SOT-666 Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 446mW Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 100pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1.4nC @ 4.5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-563F
	FDY2000PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 350MA SOT563F 下载数据手册未分类	+4000：￥1.741602	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： SOT-563, SOT-666 Mounting Type： Surface Mount Configuration： 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) Power - Max： 446mW Drain to Source Voltage (Vdss)： 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 100pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 1.4nC @ 4.5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SOT-563F

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDY2000PZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 350mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 350mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100pF 10V 功率 - 最大值： 446mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-563，SOT-666 供应商器件封装： SOT-563F 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDY2000PZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	350mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 350mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	100pF 10V
功率 - 最大值:	446mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装:	SOT-563F
温度:	-55°C # 150°C（TJ）