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搜索 FDC6303N 共 8 条相关记录
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6303N_射频晶体管
FDC6303N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

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射频晶体管
+1：

￥4.61736

+10：

￥3.07824

+30：

￥2.5652

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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FDC6303N_射频晶体管
FDC6303N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

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射频晶体管
+1：

￥2.808308

+10：

￥2.24009

+30：

￥1.99969

+100：

￥1.693727

+500：

￥1.551672

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6303N_射频晶体管
FDC6303N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

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射频晶体管
+3000：

￥0.914885

+6000：

￥0.868411

+9000：

￥0.806348

+30000：

￥0.787747

+75000：

￥0.767669

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6303N_射频晶体管
FDC6303N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

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射频晶体管
+3000：

￥2.23805

+6000：

￥2.124362

+9000：

￥1.972539

+30000：

￥1.927037

+75000：

￥1.877921

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 680mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 500mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 50pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6303N_射频晶体管
FDC6303N
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授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

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射频晶体管
+1：

￥6.644951

+10：

￥5.6771

+100：

￥3.94508

+500：

￥3.080369

+1000：

￥2.503702

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

FDC6303N_射频晶体管
FDC6303N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

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射频晶体管
+1：

￥6.644951

+10：

￥5.6771

+100：

￥3.94508

+500：

￥3.080369

+1000：

￥2.503702

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6303N_未分类
FDC6303N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

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未分类
+1：

￥7.515705

+10：

￥5.930871

+100：

￥4.427731

+500：

￥3.480099

+1000：

￥2.842899

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 3000

艾睿
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FDC6303N_未分类
FDC6303N
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R

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+1：

￥5.900015

+10：

￥5.033105

+25：

￥4.984106

+100：

￥3.718919

+250：

￥3.682484

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货期：7~10 天

 暂无参数

FDC6303N参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 680mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450 毫欧 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 50pF 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
温度: -55°C # 150°C（TJ）