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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC6303N_射频晶体管
FDC6303N
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

射频晶体管

+1:

¥2.425854

+10:

¥1.955981

+30:

¥1.748363

+100:

¥1.497036

+500:

¥1.387763

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 680mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC6303N_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

射频晶体管

+3000:

¥1.129565

+6000:

¥1.072185

+9000:

¥0.995559

+30000:

¥0.972594

+75000:

¥0.947804

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 680mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDC6303N_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

射频晶体管

+3000:

¥1.951883

+6000:

¥1.852733

+9000:

¥1.720322

+30000:

¥1.680638

+75000:

¥1.637802

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 680mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V

功率 - 最大值: 700mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDC6303N_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

射频晶体管

+1:

¥5.7953

+10:

¥4.951202

+100:

¥3.440646

+500:

¥2.6865

+1000:

¥2.183569

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

FDC6303N_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

射频晶体管

+1:

¥5.7953

+10:

¥4.951202

+100:

¥3.440646

+500:

¥2.6865

+1000:

¥2.183569

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装: SuperSOT™-6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC6303N_未分类
FDC6303N
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

未分类

+1:

¥7.290225

+10:

¥5.752938

+100:

¥4.294895

+500:

¥3.375692

+1000:

¥2.757608

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDC6303N_未分类
FDC6303N
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 6-Pin TSOT-23 T/R

未分类

+1:

¥5.99229

+10:

¥5.111821

+25:

¥5.062056

+100:

¥3.777082

+250:

¥3.740077

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDC6303N参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 680mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.3nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 50pF 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
温度: -55°C # 150°C(TJ)