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FDY4000CZ_射频晶体管
FDY4000CZ
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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射频晶体管
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￥5.982361

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￥3.98816

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￥3.323507

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA，350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V

功率 - 最大值： 446mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDY4000CZ
ON(安森美)
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MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA，350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V

功率 - 最大值： 446mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDY4000CZ
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FDY4000CZ VBSEMI/微碧半导体

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自营 国内现货
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FDY4000CZ
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MOSFET N/P-CH 20V SOT563F

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射频晶体管
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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA，350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V

功率 - 最大值： 446mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDY4000CZ
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MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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射频晶体管
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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 600mA，350mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 600mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60pF 10V

功率 - 最大值： 446mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-563，SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDY4000CZ
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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射频晶体管
1+:

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货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

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FDY4000CZ
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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射频晶体管
+1：

￥6.43976

+10：

￥5.508048

+100：

￥4.115966

+500：

￥3.233582

+1000：

￥2.498626

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-563, SOT-666

供应商器件封装： SOT-563F

Mouser
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FDY4000CZ_晶体管
FDY4000CZ
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 20V SC89-6

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晶体管
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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-523-3

系列： FDY4000CZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel, P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 600 mA, 350 mA

Rds On-漏源导通电阻： 700 mOhms, 1.2 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V, 600 mV

Qg-栅极电荷： 1.1 nC, 1.4 nC

Pd-功率耗散： 625 mW

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 8 ns, 13 ns

正向跨导 - 最小值： 1.8 S, 1 S

高度： 0.78 mm

长度： 1.6 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 8 ns, 13 ns

晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 8 ns, 8 ns

典型接通延迟时间： 6 ns, 6 ns

宽度： 0.88 mm

单位重量： 2 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FDY4000CZ
授权代理品牌

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.35A 6-Pin SOT-563F T/R

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未分类
+3000：

￥1.722119

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货期：7~10 天

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FDY4000CZ
onsemi(安森美)
授权代理品牌

MOSFET, DUAL, NP, SC89-6

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￥5.019567

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￥4.919426

+100：

￥4.819284

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￥4.719143

+3000：

￥4.619004

库存： 0

货期：7~10 天

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FDY4000CZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 600mA，350mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 700 毫欧 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 1.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 60pF 10V
功率 - 最大值: 446mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商器件封装: SOT-563F
温度: -55°C # 150°C（TJ）