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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥23.379478 +200：￥9.053508 +500：￥8.738421 +800：￥8.580877	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9815 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥34.402112 +1600：￥29.963141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9815 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥59.446735 +1600：￥51.776208	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9815 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.279621 +10：￥82.45552 +100：￥68.267676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.279621 +10：￥82.45552 +100：￥68.267676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+75：￥48.739186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9815 pF @ 25 V
FDB029N06 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+75：￥48.739186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA Supplier Device Package： D2PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9815 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥105.512558 +10：￥95.319439 +100：￥78.927801 +500：￥67.494978 +800：￥57.164114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDB029N06 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+800：￥50.088423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDB029N06参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	151 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9815 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	231W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥59.446735 +1600：￥51.776208	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 120A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 151 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9815 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 231W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.279621 +10：￥82.45552 +100：￥68.267676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥91.279621 +10：￥82.45552 +100：￥68.267676	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK
FDB029N06 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+75：￥48.739186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA Supplier Device Package： D²PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9815 pF @ 25 V
FDB029N06 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 下载数据手册未分类	+75：￥48.739186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.1mOhm @ 75A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA Supplier Device Package： D2PAK (TO-263) Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9815 pF @ 25 V