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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6316P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 下载数据手册射频晶体管	+5：￥2.236703 +50：￥1.785844 +150：￥1.592541 +500：￥1.351375 +3000：￥1.24407	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 700mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 146pF 6V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6316P VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	P+P沟道 20V 1.8A 下载数据手册未分类	+5：￥1.695475 +50：￥1.384266 +150：￥1.250954 +500：￥1.051313 +3000：￥0.977226	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDG6316P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.268318 +200：￥0.490823 +500：￥0.473574 +1000：￥0.465051	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 700mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 146pF 6V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6316P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥1.088637 +50：￥0.989054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 700mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 146pF 6V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6316P 授权代理品牌	FDG6316P VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.81682 +50：￥0.796446 +100：￥0.775956 +200：￥0.755582 +300：￥0.735092	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDG6316P 授权代理品牌	FDG6316P VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.81682 +50：￥0.796446 +100：￥0.775956 +200：￥0.755582 +300：￥0.735092	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDG6316P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.272997	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 700mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 146pF 6V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6316P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.995093 +6000：￥0.94451 +9000：￥0.877065 +30000：￥0.856818 +75000：￥0.834912	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 700mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 146pF 6V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDG6316P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.719518 +6000：￥1.632109 +9000：￥1.515565 +30000：￥1.480578 +75000：￥1.442725	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 个 P 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 270 毫欧 700mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.4nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 146pF 6V 功率 - 最大值： 300mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装： SC-88（SC-70-6）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDG6316P ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.105011 +10：￥4.357934 +100：￥3.030634 +500：￥2.366484 +1000：￥1.923468	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供应商器件封装： SC-88 (SC-70-6)

FDG6316P参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 P 沟道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	270 毫欧 700mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.4nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	146pF 6V
功率 - 最大值:	300mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装:	SC-88（SC-70-6）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）