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FDC6301N_射频晶体管
FDC6301N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

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射频晶体管
+1500：

￥2.200143

+3000：

￥1.594296

+15000：

￥1.434818

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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FDC6301N_未分类
FDC6301N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

未分类
+1：

￥1.990345

+10：

￥1.856854

+30：

￥1.79011

+100：

￥1.74005

+500：

￥1.700002

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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FDC6301N_未分类
FDC6301N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

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未分类
+50：

￥8.825375

+100：

￥8.553868

+200：

￥8.418008

+500：

￥8.146501

+1000：

￥8.146501

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6301N_未分类
FDC6301N
JSMSEMI(杰盛微)
授权代理品牌

FDC6301N JSMICRO/深圳杰盛微

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未分类
+3000：

￥0.480199

+9000：

￥0.463019

+51000：

￥0.450159

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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FDC6301N_未分类
FDC6301N
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

FDC6301N VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
+20：

￥0.857527

+100：

￥0.843192

+1000：

￥0.821797

+3000：

￥0.771732

+10000：

￥0.757504

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
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FDC6301N_射频晶体管
FDC6301N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

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射频晶体管
+3000：

￥0.736154

+6000：

￥0.691519

+15000：

￥0.646883

+30000：

￥0.593365

+75000：

￥0.571047

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDC6301N_射频晶体管
FDC6301N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

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射频晶体管
+3000：

￥1.688512

+6000：

￥1.62701

+9000：

￥1.604215

+15000：

￥1.596262

+21000：

￥1.59167

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： 2 N-通道（双）

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 25V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V

功率 - 最大值： 700mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDC6301N_射频晶体管
FDC6301N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

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射频晶体管
+1：

￥9.179182

+10：

￥5.629897

+100：

￥3.463611

+500：

￥2.711225

+1000：

￥2.427436

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

FDC6301N_射频晶体管
FDC6301N
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

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射频晶体管
+1：

￥9.179182

+10：

￥5.629897

+100：

￥3.463611

+500：

￥2.711225

+1000：

￥2.427436

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供应商器件封装： SuperSOT™-6

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ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6

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未分类
+1：

￥12.978659

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Bulk

Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Power - Max： 700mW

FET Type： 2 N-Channel (Dual)

Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 220mA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9.5pF @ 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4Ohm @ 400mA, 4.5V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.7nC @ 4.5V

FET Feature： Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： SuperSOT™-6

Part Status： Active

FDC6301N参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 欧姆 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 9.5pF 10V
功率 - 最大值: 700mW
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装: SuperSOT™-6
温度: -55°C # 150°C（TJ）