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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6301N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.584016 +6000：￥3.584016 +9000：￥3.584016	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6301N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 下载数据手册未分类	+1：￥1.990345 +10：￥1.856854 +30：￥1.79011 +100：￥1.74005 +500：￥1.700002	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6301N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 下载数据手册未分类	+50：￥8.825375 +100：￥8.553868 +200：￥8.418008 +500：￥8.146501 +1000：￥8.146501	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6301N JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDC6301N JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.480199 +9000：￥0.463019 +51000：￥0.450159	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDC6301N VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDC6301N VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.857527 +100：￥0.843192 +1000：￥0.821797 +3000：￥0.771732 +10000：￥0.757504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6301N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥0.908894 +6000：￥0.853785 +15000：￥0.798676 +30000：￥0.7326 +75000：￥0.705045	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDC6301N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.570566 +6000：￥1.475338 +15000：￥1.38011 +30000：￥1.265929 +75000：￥1.218316	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 220mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 欧姆 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.7nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 9.5pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDC6301N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.54725 +10：￥4.47247 +100：￥3.046364 +500：￥2.284312 +1000：￥1.713293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6
	FDC6301N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 下载数据手册射频晶体管	+1：￥5.54725 +10：￥4.47247 +100：￥3.046364 +500：￥2.284312 +1000：￥1.713293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： SuperSOT™-6
	FDC6301N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6 下载数据手册未分类	+1：￥11.319155	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 700mW FET Type： 2 N-Channel (Dual) Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 0.7nC @ 4.5V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA Supplier Device Package： SuperSOT™-6 Part Status： Active

FDC6301N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4 欧姆 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.7nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	9.5pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装:	SuperSOT™-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）