品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 10 V

FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）： 1.4W（Tj）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）

封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 455 pF 10 V

FET 功能： 肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）： 1.4W（Tj）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）

封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： MicroFET-6

系列： FDFMA2N028Z

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 20 V

Id-连续漏极电流： 3.7 A

Rds On-漏源导通电阻： 68 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 600 mV

Qg-栅极电荷： 6 nC

Pd-功率耗散： 1.4 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 8 ns

正向跨导 - 最小值： 16 S

高度： 0.75 mm

长度： 2 mm

产品： MOSFET Small Signal

产品类型： MOSFET

上升时间： 8 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

典型关闭延迟时间： 14 ns

典型接通延迟时间： 8 ns

宽度： 2 mm

单位重量： 40 mg

温度： - 55 C~+ 150 C