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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA410NZT_未分类
FDMA410NZT
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-ULMP

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 9.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1310 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-UDFN(2.05x2.05)

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA410NZT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+3000:

¥4.52292

+6000:

¥4.211056

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 9.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 4.5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1310 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 6-UDFN(2.05x2.05)

封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMA410NZT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥11.73822

+10:

¥10.292564

+100:

¥7.89179

+500:

¥6.238555

+1000:

¥4.990843

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)

FDMA410NZT_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-UDFN Exposed Pad

供应商器件封装: 6-MicroFET (2x2)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMA410NZT_未分类
FDMA410NZT
授权代理品牌

MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-ULMP

未分类

+1:

¥12.789145

+10:

¥11.346964

+100:

¥8.693897

+500:

¥6.870764

+1000:

¥5.496611

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

FDMA410NZT参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23 毫欧 9.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1310 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.4W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-UDFN(2.05x2.05)
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
温度: -55°C # 150°C(TJ)