品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A，7.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 8.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1205pF 15V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A，7.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 8.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1205pF 15V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 和 P 沟道

FET 功能： 逻辑电平门

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.6A，7.3A

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17 毫欧 8.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 24nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1205pF 15V

功率 - 最大值： 900mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOIC-8

系列： FDS8858CZ

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel, P-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 30 V, 60 V

Id-连续漏极电流： 8.6 A

Rds On-漏源导通电阻： 17 mOhms, 20.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V, - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 17 nC, 33 nC

Pd-功率耗散： 1.6 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 3 ns, 16 ns

正向跨导 - 最小值： 27 S / 21 S

高度： 1.75 mm

长度： 4.9 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 3 ns, 10 ns

晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间： 19 ns, 33 ns

典型接通延迟时间： 7 ns, 9 ns

宽度： 3.9 mm

单位重量： 187 mg

温度： - 55 C~+ 150 C