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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDR8308P_射频晶体管
FDR8308P
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

射频晶体管

+1:

¥2.267299

+200:

¥0.87746

+500:

¥0.846645

+1000:

¥0.831347

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1240pF 10V

功率 - 最大值: 800mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-LSOP(0.130,3.30mm 宽)

供应商器件封装: SuperSOT™-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDR8308P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1240pF 10V

功率 - 最大值: 800mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-LSOP(0.130,3.30mm 宽)

供应商器件封装: SuperSOT™-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDR8308P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 P 沟道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1240pF 10V

功率 - 最大值: 800mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-LSOP(0.130,3.30mm 宽)

供应商器件封装: SuperSOT™-8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDR8308P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-LSOP (0.130#, 3.30mm Width)

供应商器件封装: SuperSOT™-8

FDR8308P_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-LSOP (0.130#, 3.30mm Width)

供应商器件封装: SuperSOT™-8

FDR8308P_射频晶体管

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

射频晶体管

+863:

¥3.583247

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Fairchild Semiconductor

包装: Bulk

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: Obsolete

FET 类型: 2 P-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.2A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50mOhm 3.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1240pF 10V

功率 - 最大值: 800mW

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-TSOP (0.130#, 3.30mm Width)

供应商器件封装: SuperSOT™-8

温度: -55°C # 150°C (TJ)

FDR8308P参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 P 沟道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 3.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1240pF 10V
功率 - 最大值: 800mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-LSOP(0.130,3.30mm 宽)
供应商器件封装: SuperSOT™-8
温度: -55°C # 150°C(TJ)