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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥10.131814 +10：￥8.612054 +30：￥7.092294 +100：￥6.332414 +500：￥5.825787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册未分类	+1：￥3.616926 +10：￥3.179836 +30：￥2.96129 +100：￥2.753672 +500：￥2.622545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.266581 +5：￥3.878776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册未分类	+10：￥29.090124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥11.78793 +9000：￥11.493232 +15000：￥11.296766 +21000：￥11.198534	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.988553 +3：￥12.770258 +5：￥12.66111 +7：￥12.442815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥2.460317	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥6.018585	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.251756 +10：￥12.677277 +100：￥9.888004 +500：￥8.168022 +1000：￥6.448445	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥14.251756 +10：￥12.677277 +100：￥9.888004 +500：￥8.168022 +1000：￥6.448445	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

FDMA1032CZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.7A，3.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	68 毫欧 3.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	340pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）