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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册未分类	+1：￥8.948479 +200：￥3.46596 +500：￥3.350428 +1000：￥3.287411	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.266581 +5：￥3.878776	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册未分类	+10：￥29.090124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥11.78793 +9000：￥11.493232 +15000：￥11.296766 +21000：￥11.198534	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.988553 +3：￥12.770258 +5：￥12.66111 +7：￥12.442815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥3.037635	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.249024	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.7A，3.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 68 毫欧 3.7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 340pF 10V 功率 - 最大值： 700mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 6-VDFN 裸露焊盘供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.429468 +10：￥11.056308 +100：￥8.623684 +500：￥7.123625 +1000：￥5.62392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.429468 +10：￥11.056308 +100：￥8.623684 +500：￥7.123625 +1000：￥5.62392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 6-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA1032CZ ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N/P-CH 20V MICROFET 2X2 下载数据手册未分类	+1：￥14.693912 +10：￥13.197309 +100：￥10.285738 +500：￥8.503421 +1000：￥6.789132	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： MicroFET-6 系列： FDMA1032CZ 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： SMD/SMT 晶体管极性： N-Channel, P-Channel 通道数量： 2 Channel Vds-漏源极击穿电压： 20 V Id-连续漏极电流： 3.7 A Rds On-漏源导通电阻： 37 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压： 1.5 V Qg-栅极电荷： 4 nC Pd-功率耗散： 1.4 W 通道模式： Enhancement 商标名： PowerTrench 商标： onsemi / Fairchild 配置： Dual 下降时间： 8 ns, 11 ns 正向跨导 - 最小值： 16 S, - 11 S 高度： 0.75 mm 长度： 2 mm 产品： MOSFET Small Signal 产品类型： MOSFET 上升时间： 8 ns, 11 ns 晶体管类型： 1 N-Channel, 1 P-Channel 类型： MOSFET 典型关闭延迟时间： 14 ns, 37 ns 典型接通延迟时间： 8 ns, 13 ns 宽度： 2 mm 单位重量： 40 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

FDMA1032CZ参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.7A，3.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	68 毫欧 3.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	340pF 10V
功率 - 最大值:	700mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	6-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）