FDMS5361L-F085厂家价格_数据手册

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	FDMS5361L-F085 ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 下载数据手册未分类	+875：￥3.271249 +4371：￥3.206784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	FDMS5361L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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FDMS5361L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDMS5361L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDMS5361L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： Power56
FDMS5361L-F085 ON Semiconductor 授权代理品牌	FDMS5361 - N-CHANNEL POWERTRENCH 下载数据手册未分类	+656：￥6.256309	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 15mOhm @ 16.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： Power56 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1980 pF @ 25 V
FDMS5361L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 下载数据手册未分类	+910：￥7.480369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Reel (TR) Package / Case： 8-PowerVDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 15mOhm @ 16.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA Supplier Device Package： Power56 Part Status： Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1980 pF @ 25 V

Mouser

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	FDMS5361L-F085 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 35A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1980 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 75W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： Power56 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 175°C（TJ）

FDMS5361L-F085参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	15 毫欧 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1980 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	75W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	Power56
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 175°C（TJ）