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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FAM65HR51DS2_null
FAM65HR51DS2
ON(安森美)
授权代理品牌

IGBT MODULE 650V 33A 135W
+1：

￥503.004522

+200：

￥194.664546

+500：

￥187.821729

+1000：

￥184.437471

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FAM65HR51DS2_晶体管IGBT
FAM65HR51DS2
ON(安森美)
授权代理品牌

IGBT MODULE 650V 33A 135W

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晶体管IGBT
+1：

￥1180.017677

+200：

￥456.663853

+500：

￥440.613908

+1000：

￥432.688009

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FAM65HR51DS2_null
FAM65HR51DS2
ON(安森美)
授权代理品牌

IGBT MODULE 650V 33A 135W

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1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： APMCA-B16-16

系列：

产品种类： 分立半导体模块

产品： Rectifier Modules

安装风格： Through Hole

商标： onsemi

配置： Quad

Pd-功率耗散： 135 W

产品类型： Discrete Semiconductor Modules

技术： Si

温度： - 40 C~+ 125 C

FAM65HR51DS2参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
封装/外壳: -
供应商器件封装: -