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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6317NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOS场效应管 FDG6317NZ SOT-363

射频晶体管

+20:

¥2.850881

+100:

¥1.927893

+800:

¥1.415216

+3000:

¥1.025475

+6000:

¥0.974171

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 66.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6317NZ_未分类
FDG6317NZ
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

未分类

+1:

¥3.376526

+10:

¥2.764599

+30:

¥2.458636

+100:

¥2.152672

+500:

¥1.966909

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 66.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6317NZ_射频晶体管
FDG6317NZ
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

射频晶体管

+5:

¥1.337057

+50:

¥1.215506

+100:

¥1.128685

+500:

¥1.041863

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 66.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDG6317NZ_射频晶体管
FDG6317NZ
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

射频晶体管

+1:

¥1.266789

+200:

¥0.874007

+1500:

¥0.794594

+3000:

¥0.742617

+45000:

¥0.738102

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 66.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6317NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

射频晶体管

+3000:

¥0.564662

+6000:

¥0.517321

+9000:

¥0.492931

+15000:

¥0.465414

+21000:

¥0.449091

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 66.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6317NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

射频晶体管

+3000:

¥1.381315

+6000:

¥1.265504

+9000:

¥1.20584

+15000:

¥1.138525

+21000:

¥1.098595

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 20V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 700mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 66.5pF 10V

功率 - 最大值: 300mW

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDG6317NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

射频晶体管

+1:

¥5.048549

+10:

¥3.426895

+100:

¥2.307034

+500:

¥1.782597

+1000:

¥1.607734

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SC-88 (SC-70-6)

FDG6317NZ_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

射频晶体管

+1:

¥5.048549

+10:

¥3.426895

+100:

¥2.307034

+500:

¥1.782597

+1000:

¥1.607734

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SC-88 (SC-70-6)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6317NZ_未分类
FDG6317NZ
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6

未分类

+1:

¥5.472354

+10:

¥3.71457

+100:

¥1.940201

+1000:

¥1.757787

+3000:

¥1.359798

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDG6317NZ_未分类
FDG6317NZ
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

未分类

+1:

¥4.443663

+10:

¥3.016613

+25:

¥2.985657

+100:

¥2.030682

+250:

¥2.010559

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDG6317NZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 700mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 400 毫欧 700mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.1nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 66.5pF 10V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88(SC-70-6)
温度: -55°C # 150°C(TJ)