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FDMD8540L_射频晶体管
FDMD8540L
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER

射频晶体管

+1:

¥14.12896

+10:

¥12.238542

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¥11.04747

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¥9.823616

+500:

¥9.277252

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power 5x6

Digi-Key
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MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power 5x6

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射频晶体管

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货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power 5x6

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射频晶体管

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货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-Power 5x6

Mouser
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FDMD8540L_晶体管
FDMD8540L
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MOSFET 2N-CH 40V 33A POWER

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: Power-56-8

系列: FDMD8540L

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 33 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.2 mOhms, 2.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 81 nC

Pd-功率耗散: 2.3 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 14 ns, 14 ns

正向跨导 - 最小值: 178 S, 178 S

高度: 0.8 mm

长度: 3.3 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 13 ns, 13 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 51 ns, 51 ns

典型接通延迟时间: 15 ns, 15 ns

宽度: 3.3 mm

单位重量: 94.850 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

FDMD8540L参数规格

属性 参数值
系列: PowerTrench®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-Power 5x6