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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9926A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.148464 +100：￥6.531984 +200：￥4.99464 +500：￥4.241232 +800：￥3.814848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9926A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥2.117863 +100：￥2.056274	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9926A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS9926A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥1.39348 +30：￥1.339938 +300：￥1.28629 +3000：￥1.232747 +10000：￥1.1791	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS9926A JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS9926A JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+100：￥0.363627 +2500：￥0.336435 +55000：￥0.330426 +90000：￥0.324419 +125000：￥0.300387	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS9926A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+2500：￥3.20589 +5000：￥3.149135 +7500：￥3.09238 +10000：￥3.035625 +12500：￥3.007247	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS9926A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	+60：￥2.285628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS9926A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS9926A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS9926A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.388802 +20：￥1.30638 +100：￥1.282881 +500：￥1.259265	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS9926A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS9926A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥1.389961 +20：￥1.307422 +100：￥1.283922 +500：￥1.260307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS9926A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥1.95581 +5000：￥1.820947 +12500：￥1.753514 +25000：￥1.68601	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDS9926A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）