FDS6890A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 FDS6890A 共 17 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6890A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥32.06016 +10：￥21.37344 +30：￥17.8112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6890A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS6890A 下载数据手册未分类	+1：￥2.873872 +10：￥2.327509 +30：￥2.087109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS6890A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥17.877014 +10：￥15.647851 +30：￥14.24916	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6890A VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDS6890A VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.438802 +500：￥1.413717 +8000：￥1.376196 +16000：￥1.351216 +28000：￥1.251087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS6890A 授权代理品牌	FDS6890A VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.672537 +20：￥1.615581 +200：￥1.558626	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS6890A JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	FDS6890A JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.422142 +4000：￥1.397485 +12000：￥1.360325 +16000：￥1.323397 +20000：￥1.273851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	FDS6890A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+300：￥6.049285 +2500：￥5.460286 +5000：￥5.370801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6890A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.654575 +5000：￥3.471863 +12500：￥3.341307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDS6890A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥8.94006 +5000：￥8.493097 +12500：￥8.173722	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 18 毫欧 7.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2130pF 10V 功率 - 最大值： 900mW 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDS6890A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.038307 +10：￥18.839465 +100：￥14.687452 +500：￥12.132996 +1000：￥9.578538	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

FDS6890A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	18 毫欧 7.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	32nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2130pF 10V
功率 - 最大值:	900mW
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）