锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FDMD8260LET6011 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD8260LET60_未分类
FDMD8260LET60
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 15A

未分类

+1:

¥98.34543

+200:

¥38.059681

+500:

¥36.726554

+1000:

¥36.059991

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD8260LET60_射频晶体管
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

FDMD8260LET60_射频晶体管
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

FDMD8260LET60_射频晶体管
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

FDMD8260LET60_未分类
FDMD8260LET60
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

未分类

+89:

¥42.117229

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 12-PowerWDFN

Mounting Type: Surface Mount

Configuration: 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max: 1.1W

Drain to Source Voltage (Vdss): 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V

FET Feature: -

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: 12-Power3.3x5

Part Status: Active

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD8260LET60_晶体管
FDMD8260LET60
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 15A

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: PQFN-12

系列: FDMD8260LET60

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 15 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 49 nC

Pd-功率耗散: 44 W

通道模式: Enhancement

商标名: Power Clip

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 11 ns

正向跨导 - 最小值: 56 S

高度: 0.8 mm

长度: 5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 47 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

宽度: 3.3 mm

单位重量: 82.320 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD8260LET60_未分类
FDMD8260LET60
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R

未分类

+3000:

¥24.388174

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FDMD8260LET60_未分类
FDMD8260LET60
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R

未分类

+3000:

¥38.819802

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
FDMD8260LET60_未分类
FDMD8260LET60
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R

未分类

+1:

¥48.605881

+10:

¥48.114752

+25:

¥47.639466

+50:

¥47.259238

+100:

¥46.863167

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD8260LET60_未分类
FDMD8260LET60
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R

未分类

+3:

¥29.071643

+10:

¥28.777894

+25:

¥28.493621

+50:

¥28.266202

+100:

¥28.029309

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMD8260LET60参数规格

属性 参数值
系列: PowerTrench®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
封装/外壳: 12-PowerWDFN
供应商器件封装: 12-Power3.3x5