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FDMD8580_未分类
FDMD8580
授权代理品牌

MOSFET 80V 16A POWER 5X6

未分类

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¥8.129889

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¥6.88418

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¥6.206689

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¥5.44178

+500:

¥5.103035

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Ta),82A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5875pF 40V

功率 - 最大值: 2.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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FDMD8580_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 80V 16A POWER 5X6

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 停产

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 80V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Ta),82A(Tc)

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 16A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5875pF 40V

功率 - 最大值: 2.3W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMD8580_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 80V 16A POWER 5X6

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

FDMD8580_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 80V 16A POWER 5X6

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: Power56

Mouser
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FDMD8580_未分类
FDMD8580
授权代理品牌

MOSFET 80V 16A POWER 5X6

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

FDMD8580参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A(Ta),82A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.6 毫欧 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5875pF 40V
功率 - 最大值: 2.3W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: Power56
温度: -55°C # 150°C(TJ)