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FDMD86100_null
FDMD86100
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V
+1：

￥40.74779

+200：

￥15.768051

+500：

￥15.221687

+1000：

￥14.948505

库存： 1000 +

国内：1~2 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power 5x6

Digi-Key
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FDMD86100_射频晶体管
FDMD86100
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+3000：

￥17.569771

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power 5x6

FDMD86100_射频晶体管
FDMD86100
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货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power 5x6

FDMD86100_射频晶体管
FDMD86100
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货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

安装类型： Surface Mount

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

供应商器件封装： 8-Power 5x6

Mouser
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FDMD86100_晶体管
FDMD86100
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥54.124418

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￥47.673543

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￥47.358866

+100：

￥40.435975

+250：

￥40.278637

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-5x8-8

系列： FDMD86100

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 100 V

Id-连续漏极电流： 39 A

Rds On-漏源导通电阻： 10.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 3 V

Qg-栅极电荷： 21 nC

Pd-功率耗散： 33 W

通道模式： Enhancement

商标名： PowerTrench Power Clip

商标： onsemi / Fairchild

配置： Dual

下降时间： 4.1 ns

高度： 0.8 mm

长度： 3.3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 4.3 ns

晶体管类型： 2 N-Channel

典型关闭延迟时间： 18 ns

典型接通延迟时间： 13 ns

宽度： 3.3 mm

单位重量： 98 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

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FDMD86100_未分类
FDMD86100
onsemi(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥26.544679

+10：

￥25.217446

+25：

￥25.078225

+100：

￥22.748604

+250：

￥22.51657

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDMD86100参数规格

属性 参数值
系列: PowerTrench®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-Power 5x6