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FDMD82100参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 19毫欧 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 17nC 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1070pF 50V |
功率 - 最大值: | 1W |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 12-PowerWDFN |
供应商器件封装: | 12-Power3.3x5 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |