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搜索 FDMD821007 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD82100_射频晶体管
FDMD82100
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

射频晶体管

+1:

¥17.658468

+200:

¥6.840471

+500:

¥6.600071

+1000:

¥6.479871

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1070pF 50V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD82100_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

射频晶体管

+3000:

¥16.955597

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1070pF 50V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD82100_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

射频晶体管

+3000:

¥29.299216

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 最后售卖

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19毫欧 7A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1070pF 50V

功率 - 最大值: 1W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDMD82100_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

FDMD82100_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

射频晶体管

+1:

¥32.214948

+200:

¥12.471232

+500:

¥12.039203

+1000:

¥11.823188

库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 12-PowerWDFN

供应商器件封装: 12-Power3.3x5

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD82100_未分类
FDMD82100
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER

未分类

+1:

¥52.140568

+10:

¥46.979446

+25:

¥44.465053

+100:

¥38.509912

+500:

¥32.819444

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDMD82100_未分类
FDMD82100
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 100V 7A 12-Pin Power 3.3 EP T/R

未分类

+3000:

¥23.579005

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

FDMD82100参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 最后售卖
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 19毫欧 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 17nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1070pF 50V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 12-PowerWDFN
供应商器件封装: 12-Power3.3x5
温度: -55°C # 150°C(TJ)