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FDMS8095AC_null
FDMS8095AC
授权代理品牌

MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56

+1:

¥22.194028

+200:

¥8.59329

+500:

¥8.285629

+1000:

¥8.137103

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (5x6), Power56

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FDMS8095AC_射频晶体管
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MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56

射频晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (5x6), Power56

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射频晶体管

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货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (5x6), Power56

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射频晶体管

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货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-MLP (5x6), Power56

Mouser
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FDMS8095AC_晶体管
FDMS8095AC
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MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Reel

封装/外壳: Power-56-8

系列: FDMS8095AC

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 27 A, 2.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 58 mOhms, 2.171 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V, - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 21 nC, 2.8 nC

Pd-功率耗散: 50 W, 12.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 4 ns, 6.3 ns

高度: 0.8 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 2.7 ns, 1.6 ns

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 18 ns, 7.4 ns

典型接通延迟时间: 12 ns, 5.2 ns

宽度: 5 mm

单位重量: 250 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

FDMS8095AC参数规格

属性 参数值
系列: PowerTrench®
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-MLP (5x6), Power56