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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ2553N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.228853 +200：￥1.639091 +500：￥1.584454 +1000：￥1.551672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1299pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-WFBGA 供应商器件封装： 18-BGA（2.5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ2553N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1299pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-WFBGA 供应商器件封装： 18-BGA（2.5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDZ2553N ON Semiconductor 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+513：￥4.310718	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1299pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-WFBGA 供应商器件封装： 18-BGA（2.5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ2553N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1299pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-WFBGA 供应商器件封装： 18-BGA（2.5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDZ2553N Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+513：￥7.448906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14mOhm 9.6A, 4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1299pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 18-WFBGA 供应商器件封装： 18-BGA (2.5x4) 温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDZ2553N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 20V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.6A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 9.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1299pF 10V 功率 - 最大值： 2.1W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 18-WFBGA 供应商器件封装： 18-BGA（2.5x4）温度： -55°C # 150°C（TJ）

FDZ2553N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 9.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1299pF 10V
功率 - 最大值:	2.1W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	18-WFBGA
供应商器件封装:	18-BGA（2.5x4）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）