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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.95424 +10：￥14.63616 +30：￥12.1968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A，35A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2375pF 13V 功率 - 最大值： 2.1W，2.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装：电源夹 Clip56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥9.622363 +10：￥8.402328 +30：￥7.733961 +100：￥7.10803 +500：￥6.704888	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A，35A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2375pF 13V 功率 - 最大值： 2.1W，2.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装：电源夹 Clip56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册未分类	+10：￥10.95728	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A，35A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2375pF 13V 功率 - 最大值： 2.1W，2.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装：电源夹 Clip56 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册未分类	+25：￥18.088168 +100：￥15.396427 +500：￥12.704797 +1000：￥10.540613 +3000：￥9.57164	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 2.1W, 2.3W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A, 35A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2375pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 35nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： Power Clip 56 Part Status： Active

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥5.191106 +6000：￥4.998833	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A，35A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2375pF 13V 功率 - 最大值： 2.1W，2.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装：电源夹 Clip56 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥12.698822 +6000：￥12.228469	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： 2 N 沟道（双）非对称型 FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 25V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A，35A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2375pF 13V 功率 - 最大值： 2.1W，2.3W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装：电源夹 Clip56 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥27.733379 +10：￥24.932169 +100：￥20.036321 +500：￥16.461365 +1000：￥13.639388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power Clip 56
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册射频晶体管	+1：￥27.733379 +10：￥24.932169 +100：￥20.036321 +500：￥16.461365 +1000：￥13.639388	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerWDFN 供应商器件封装： Power Clip 56
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册未分类	+411：￥11.98528	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerWDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ) Power - Max： 2.1W, 2.3W FET Type： 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Drain to Source Voltage (Vdss)： 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 20A, 35A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2375pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs： 3.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 35nC @ 10V FET Feature： Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id： 2.5V @ 250µA Supplier Device Package： Power Clip 56 Part Status： Active

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDPC8016S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP 下载数据手册未分类	+1：￥31.24682 +10：￥28.154687 +100：￥22.621396 +500：￥18.552799 +1000：￥15.346746	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

FDPC8016S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A，35A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2375pF 13V
功率 - 最大值:	2.1W，2.3W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerWDFN
供应商器件封装:	电源夹 Clip56
温度:	-55°C # 150°C（TJ）